Японская компания Toshiba Corporation заявила о выпуске первых в отрасли встраиваемых модулей флеш-памяти типа NAND с емкостью до 64 Гб. В новую линейку продуктов eNAND (Embedded NAND) вошли шесть моделей. Все они полностью отвечают требованиям стандарта e-MMC (JEDEC/MMCA v4.4) и предназначены для использования в разнообразных цифровых потребительских устройствах, включая смартфоны, мобильные телефоны, нетбуки, видеокамеры.
64-Гб модуль eNAND объединяет 16 микросхем, каждая из которых имеет емкость 32 Гбит (или 4 Гб), а также передовой контроллер памяти. Эти чипы производятся по 32-нм техпроцессу Toshiba. Японская компания применила новейшие технологии, позволившие уменьшить толщину микросхем до 30 мкм. Также были использованы последние технологические достижения для упаковки этих кристаллов в один компактный корпус.
Образцы 64-Гб модулей в 169-контактных FBGA-корпусах 14 х 18 х 1,4 мм уже поставляются заказчикам, а их массовое производство стартует в первом квартале 2010 года. Остальные модели с емкостью от 2 до 32 Гб выйдут в свет в период с первого по третий квартал следующего года. Совокупный объем выпуска новой eNAND-памяти составит 3 миллиона модулей в месяц.
64-Гб модуль eNAND объединяет 16 микросхем, каждая из которых имеет емкость 32 Гбит (или 4 Гб), а также передовой контроллер памяти. Эти чипы производятся по 32-нм техпроцессу Toshiba. Японская компания применила новейшие технологии, позволившие уменьшить толщину микросхем до 30 мкм. Также были использованы последние технологические достижения для упаковки этих кристаллов в один компактный корпус.
Образцы 64-Гб модулей в 169-контактных FBGA-корпусах 14 х 18 х 1,4 мм уже поставляются заказчикам, а их массовое производство стартует в первом квартале 2010 года. Остальные модели с емкостью от 2 до 32 Гб выйдут в свет в период с первого по третий квартал следующего года. Совокупный объем выпуска новой eNAND-памяти составит 3 миллиона модулей в месяц.