Командой разработчиков из MIT - Массачусетского Института Технологий сообщается, что они нашли способ уменьшения размеров элементов в полупроводниках. В наше время производителями микросхем используется метод Фотолитографии, позволяющий создавать элементы, размеры которых превышают длину волны света, применяемого в технологии. Учеными из MIT найден способ, чтобы обойти даже это ограничение

Технологический процесс, описанный в документе, который называется "Преодоление ограничений дифракции Фраунгофера в создании наноузлов оптическим методом при помощи повторяющейся электрохимической и фотохимической передачи в фотохромных молекулах" позволил создавать сложные структуры микросхем, размеры которых равны 1/8 длины волны света, который используется. Ученые утверждают, что эффект, который называется созданием изображений при помощи принудительной эмиссии, позволит им перейти рубеж ограничений, который накладывается фотолитографией. В этом методе учеными усиливаются флюоресцентные характеристики материалов для того, чтобы эмитировать свет, воздействуя лазерным лучом. если контролировать мощность лазера, то исследователи имеют возможность воздействовать на световую эмиссию, и в случае приложения достаточной мощности на участке появится темное пятно, меньшее длины волны лазера, который использовался. Эти темные пятна могут быть использованы в качестве масок, которые можно накладывать на поверхность.

У исследователей MIT есть уверенность, что изобретение можно будет использовать при создании полупроводников, у которых может быть более мелкая и точная структура, чем это возможно на сегодняшний день. Также, как утверждают ученые, его можно будет применять в фотонных устройствах.

Источник: delete-it.ru