Компания Micron Technology заявила, что в результате сотрудничества с Sun Microsystems ей удалось разработать технологию производства одноуровневых ячеек (single-level cell, SLC) NAND флэш-памяти, обладающих ресурсом в миллион циклов записи, что на порядок превышает характеристики памяти предыдущего поколения. Партнеры считают, что их достижения смогут преодолеть некоторое недоверие к твердотельным накопителям корпоративного уровня на базе NAND-флэш памяти, основывавшееся, прежде всего, на ограниченном количестве циклов записи-стирания, составлявшем для SLC-ячеек предыдущего поколения около 100 тыс.