[thumb=left]https://delete-it.ru/engine/go.php?url=L3VwbG9hZHMvcG9zdHMvMjAxMC0xMi9xeWl0aG95OTd0LmpwZw==[/thumb]Ведущий производитель оптических носителей информации, компания TDK разработала первый в мире десяти-слойный оптический диск емкостью 320 Gb, каждый слой которого способен хранить до 32 Gb данных. Вместимость нового носителя действительно впечатляет, для сравнения Blu-ray диски могут хранить до 25 Gb на одном слое.

Компания GIGABYTE Technologies (Gigabyte) в этом месяце представила технологию Ultra Durable 3 Classic для платформы AMD. Технология нашла применение в большинстве системных плат на базе чипсетов компании AMD 790GX, 790X, 780G и 770 (платформа Socket AM2+). Она предусматривает применение медных слоев толщиной 70 мкм для слоя питания и слоя заземления системной платы. Это обеспечивает существенное снижение рабочей температуры, повышение энергетической эффективности и стабильности системы в условиях разгона. Для сравнения — толщина каждого слоя типовой печатной платы составляет 35 мкм.

[thumb=left]https://delete-it.ru/engine/go.php?url=L3VwbG9hZHMvcG9zdHMvMjAxMC0xMS9na2wyMnpnbWZzLmdpZg==[/thumb]На прошедшей в Сан-Франциско (штат Калифорния) международной конференции по электронным устройствам 2008 IEEE International Electron Devices Meeting компании Toshiba Corporation, IBM и AMD представили общественности свою новейшую совместную разработку - самый миниатюрный в отрасли функционирующий модуль SRAM-памяти на полевых транзисторах так называемого «плавникового» типа (fin-shaped Field Effect Transistor, FinFET). Площадь новинки составляет всего 0,128 квадратных микрон. По утверждению разработчиков, ячейка памяти, разработанная с применением полупроводниковой технологии HKMG (High-K/Metal Gate), обладает рядом преимуществ перед элементами на базе планарных («плоских») полевых транзисторов. Более миниатюрные элементы SRAM могут способствовать появлению меньших по размеру и более быстрых процессоров, которые, к тому же, потребляют меньше электроэнергии. Новый интегрированный элемент SRAM более чем на 50% меньше своего предыдущего аналога, площадь которого составляла 0,274 квадратных микрона. Для достижения этого результата объединенная группа исследователей оптимизировала технологические процессы, особенно в части формирования, смещения и удаления слоев материалов, в том числе слоев HKMG в вертикальных плоскостях непланарной FinFET-структуры.