Samsung первой выпустила чипы DDR3-памяти плотностью 4 Гбит

27-11-2010, 16:16
Просмотров: 3016
Samsung первой выпустила чипы DDR3-памяти плотностью 4 Гбит


Samsung Electronics объявила о том, что ею сделан значительный прорыв в повышении плотности памяти. Используя 50-нм техпроцесс, инженеры компании сумели достичь самой высокой плотности хранения данных — чипы новой DDR3-памяти имеют плотность 4 Гбит.

Память Samsung 4Gb DDR3 будет применяться, например, для создания 16-ГБ модулей памяти RDIMM, используемой в серверах, а также для сборки 8-ГБ модулей небуферизированной памяти DIMM, которую можно использовать в рабочих станциях и пользовательских ПК.

Технология упаковки чипов позволяет создавать и более ёмкие модули — вплоть до 32 ГБ. 4-Гбит память Samsung работает при напряжении питания 1,35 В, что ещё ниже, чем у типичной памяти этого типа (1,5 В). По сравнению с 2-Гбит памятью, готовые модули на новых чипах потребляют на 40% меньше энергии. Пропускная способность составляет 1,6 Гбит/с.

Память с такой плотностью и малым потреблением энергии будет широко востребована в серверах. Это позволит сократить стоимость датацентров и стоимость их обслуживания, и повысить их общую эффективность работы.
Автор: Роман
Опубликовано пользователем: 3470 (смотреть все)
Комментарии:
» Samsung первой выпустила чипы DDR3-памяти плотностью 4 Гбит