Пресс-служба компании Silicon Power, мирового лидера в производстве модулей памяти DRAM, объявила о пополнении модельного ряда и представила 3 набора модулей DDR3 на 12 Гб.
Новая память основывается на конфигурации 8 x 256 Мбайт и применяет технологию On-DIE Termination (ODT), которая значительно уменьшает побочные отражения сигнала и поднимает скорость передачи данных. В список новых модулей попали одиночный модуль на 4 Гбайт, двухканальный набор 2 x 4 Гбайт и трехканальный 3 x 4 Гбайт. Все они работают на частоте 1333 МГц с таймингом CAS 9 и напряжением питания 1.5 В.
Silicon Power не изменяет своим традициям и новые модули памяти обеспечены гарантией на всю жизнь.
